盛美步入边缘刻蚀领域,新产品支持3D NAND、DRAM和先进逻辑制造工艺

【TechWeb】8月19曰消息,盛美半导体设备近曰公布的边缘湿fǎ刻蚀设备,进一步拓宽了盛美湿fǎ设备的覆盖面。该新设备使用湿fǎ刻蚀方fǎ来去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜,以及颗粒污染物。这种方fǎ最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响,提高了芯片X的良率,同时整合背面晶圆清洗的功能,进一步优化了工艺和产品结构。盛美半导体设备董事长王晖表示:“在ICX工艺里,特别是在3D NAND、DRAM和先进逻辑器件工艺中,晶圆边缘剥离、杂质颗粒和残留物会导致晶圆边缘良率降低,现在这个问题的解决对于优化整体工艺良率变得越来越重要。我们开发的边缘湿fǎ刻蚀清洗设备可有效解决这种边缘良率降低的问题,这款新产品也把盛美在湿fǎ工艺的X技术拓展到边缘刻蚀应用领域。与干fǎ相比,该产品不仅具备明显的性能优势,而且可以显著减少化学品的用量。更值得一提的是,盛美独创的专利技术可做到更精准高效的晶圆对准,以实现精准边缘刻蚀,从而提高良率及产能。”盛美的边缘刻蚀产品支持多种器件和工艺,包括3D NAND、DRAM和先进逻辑工艺。一直以来,X商都是使用干fǎ刻蚀工艺来解决边缘薄膜和污染物去除的问题。湿fǎ刻蚀区别于干fǎ工艺,它避免了产生电弧和硅损伤的风险,同时还能X 1-7 毫米可变的晶圆边缘薄膜刻蚀/切gē精度、良好的均匀性、可控的刻蚀选择性和较低的化学品消耗量,来降低总体拥有成本。盛美首台用于量产的边缘刻蚀产品将于20X第三季度交付给一家X的逻辑器件X商。

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